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Galaxy Note 6将配10nm工艺6GB LPDDR4内存

  • 时间:2016-05-24 10:55
  • 来源:腾讯科技
  • 编辑:xwgod

日前在深圳召开的2016三星移动解决方案论坛上,这家韩国OEM厂商宣布了新的6GB LPDDR4内存。和现有芯片和6GB内存芯片比较大的区别在于使用了新的10nm制造生产工艺,承诺带来更快更高效的内存。

Galaxy Note 6将配10nm工艺6GB LPDDR4内存

简而言之 ,“nm”用于描述创建芯片的生产工艺级别,前面的数字越小越好。更小的芯片不仅占据空间更少而且能够具备更低的功耗和更强悍的性能。在处理器方面目前依然停留在14nm工艺上,例如新的高通骁龙820处理器。而三星现在打造的6GB内存,除了使用LPDDR4标准之外也是首次在智能手机业内使用10nm级别的内存。

鉴于现在的发布时间,我们有很大的理由相信在今年9月份(或8月)亮相的Galaxy Note 6将会搭载这款6GB内存,在其他方面根据目前掌握的谣传信息该机屏幕将会在5.8到5.9英寸之间,有可能成为三星历史上首款打杂USB-C端口的设备,但是否会具备弧形屏幕目前尚不确认。

Galaxy Note 6将配10nm工艺6GB LPDDR4内存

Galaxy Note 6将配10nm工艺6GB LPDDR4内存

Galaxy Note 6将配10nm工艺6GB LPDDR4内存

以上图片来自于三星中国

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